Transistor bán dẫn MRFE6S9125N

Mã sản phẩm: MRFE6S9125N   |   Tình trạng: Còn trong kho
         
Liên hệ

RF Power Field Effect Transistors , N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Transistor bán dẫn MRFE6S9125N Được thiết kế cho các ứng dụng thương mại và công nghiệp băng rộng với tần số
lên đến 1000 MHz. Hiệu suất cao và băng thông rộng của các thiết bị này
làm cho chúng lý tưởng cho các ứng dụng bộ khuếch đại nguồn tín hiệu lớn, phổ biến
trong thiết bị trạm gốc 28 volt.
Ứng dụng N-CDMA
• Hiệu suất N-CDMA đơn sóng mang tiêu biểu @ 880 MHz, VDD = 28 Volts,
IDQ = 950 mA, Pout = 27 Watts trung bình, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic
Mã 8 đến 13) Băng thông kênh = 1,2288 MHz. PAR = 9,8 dB @
0,01% xác suất trên CCDF.
Tăng công suất ó 20,2 dB
Hiệu quả xả ó 31%
ACPR @ 750 kHz Bù đắp = -45,7 dBc trong băng thông 30 kHz
• Khả năng xử lý 10: 1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive,
Được thiết kế để tăng cường độ chắc chắn
Ứng dụng GSM EDGE
• Hiệu suất EDGE GSM điển hình: VDD = 28 Volts, IDQ = 700 mA,
Pout = Tần số trung bình, tần số đầy đủ 60 Watts (865-960 MHz hoặc 920-960 MHz)
Tăng công suất ó 20 dB
Hiệu quả xả ó 40%
Tái phát quang phổ @ 400 kHz Bù đắp = -63 dBc
Tái phát quang phổ @ 600 kHz Offset = -78 dBc
EVM ó 1,8% rms.

Để mua Transistor bán dẫn MRFE6S9125N tại hà nội hoặc TP HCM liên hệ 0976361117


Từ khóa: Transistor bán dẫn MRFE6S9125N