Transistor bán dẫn MRFE6S9160HSR3

Mã sản phẩm: MRFE6S9160HSR3   |   Tình trạng: Còn trong kho
         
Liên hệ

RF Power Field Effect Transistors,N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Transistor bán dẫn MRFE6S9160HSR3 Được thiết kế cho các ứng dụng trạm gốc N - CDMA, GSM và GSM EDGE
với tần số từ 865 đến 960 MHz. Thích hợp cho bộ khuếch đại đa hướng
các ứng dụng.
• N-CDMA đơn sóng mang. Hiệu suất @ 880 MHz: VDD = 28 Volts,
IDQ = 1200 mA, Pout = 35 Watts, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,
Mã giao thông 8 Qua 13) Băng thông kênh = 1,2288 MHz. PAR = 9,8 dB
@ 0,01% xác suất trên CCDF.
Tăng công suất ó 21 dB
Hiệu quả xả ó 31%
ACPR @ 750 kHz Bù đắp ó -46,8 dBc trong băng thông 30 kHz
• Khả năng xử lý 10: 1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive,
Được thiết kế để tăng cường độ chắc chắn.
Tính năng, đặc điểm
• Đặc trưng với các tham số trở kháng tín hiệu lớn tương đương Series
• Phù hợp với nội bộ để dễ sử dụng
• Đạt tiêu chuẩn tối đa 32 hoạt động VDD
• Bảo vệ ESD tích hợp
• Tuân thủ RoHS
• Trong Tape và Reel. R3 Suffix = 250 đơn vị trên 56 mm, 13 inch Reel.

Để mua Transistor bán dẫn MRFE6S9160HSR3 tại hà nội hoặc TP HCM liên hệ 0976361117.


Từ khóa: Transistor bán dẫn MRFE6S9160HSR3